海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士。2012年更名SK hynix。海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。
在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位。在世界各地有销售法人和办事处，共有员工15000人.海力士（Hynix）半导体作为无形的基础设施，通过半导体，竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。
热点资讯
-
SK海力士H54G46CYRBX267N DDR储存芯片的技
2024-03-24
随着科技的飞速发展，储存芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。SK海力士推出的H54G46CYRBX267N DDR储存芯片，以其卓越的性能和稳定性，成为了业界的焦点。本文将对该芯片的技术和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 H54G46CYRBX267N DDR储存芯片采用了先进的DDR3技术，支持双通道数 -
SK海力士H5TQ4G63MFR-H9C DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-10
随着科技的飞速发展，储存芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。SK海力士的H5TQ4G63MFR-H9C DDR储存芯片是一款高性能、高可靠性的产品，广泛应用于各种电子产品中。本文将介绍该芯片的技术特点、方案应用及其优势。 一、技术特点 1. 高速度：H5TQ4G63MFR-H9C芯片支持DDR4内存接口，数据 -
SK海力士H56G32CS4DX005 DDR储存芯片的技术
2024-04-08
标题：SK海力士SK海力士H56G32CS4DX005 DDR储存芯片的技术与方案应用介绍 SK海力士的H56G32CS4DX005 DDR储存芯片是一款高性能的内存芯片，其出色的性能和可靠性在业界享有盛名。本文将深入探讨这款芯片的技术特点、方案应用以及市场前景。 一、技术特点 H56G32CS4DX005 DDR芯片 -
SK海力士H5TC4G63CFR-PBI DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-07-01
SK海力士公司是一家全球领先的半导体公司，其H5TC4G63CFR-PBI DDR储存芯片是一款高性能、高可靠性的内存芯片，广泛应用于各种电子产品中。本文将介绍该芯片的技术特点和方案应用，以及其在市场上的竞争优势。 一、技术特点 H5TC4G63CFR-PBI DDR储存芯片采用了SK海力士先进的DDR技术，具有以下特
-
1
中日在制造业升级与智能制造领域深化合作
2024-01-30 据工信部消息，2024年1月26日，我国工业和信息化部门与来访的日本经济代表团举行了交流活动，金壮龙部长、进藤孝生会长出席并就双方共同关心的话题进行讨论交流。彼时，双方就产业升级、新一代汽车及自动驾驶、数字社会、智能制造以及数据安全管理等多个方面交换了看法。 金壮龙部长对中国的工业发展状况做了详细说明。他指出，目前我国工业经济总体保持平稳增长趋势，传统行业的
-
2
保隆科技单芯片角雷达获得VinFast全系车型定点
2024-01-30 近期，保隆科技旗下保航科技（与楚航科技合资公司）获得VinFast的VF系列5个车型的角雷达定点，生命周期5年，生命周期内此项目预计销售总金额1.7亿元左右，计划于2024年量产。这是保航科技继2022年获得VinFast首个车型定点、2023年量产之后，再次获得该主机厂角雷达定点，此次定点覆盖了VF全系车型。 保航科技与VinFast的合作经过首个定点车型
-
3
杭可科技预计2023年净利润增幅67%-87%，新能源行业驱动增长
2024-01-26 杭可科技在1月23日公布2023年全年预期盈利情况，预计归属母公司权益的净利润将达到82至92亿元人民币，增长率高达67.14%-87.53%；扣除非经常性收益后，实际净利润预计会有78.5亿至88.5亿元人民币，增长率同样高涨，达到了65.96%-87.10%。 谈及增长原因，公司表示新能源行业的快速发展带来强烈的市场需求，公司近年新订单数量大幅上升，直接
-
4
盛科通信预期2023年年度业绩同比增长，扣非净利润亏损
2024-01-26 1月23日，盛科通信公布2023年度盈利预测报告显示，该年度运营预期营收将达10亿元人民币左右，同比增长约30%-38%；预计净亏损额在2500万至1500万元之间，较去年同期相比，亏损额或有所减少。此外，非经常性损失可能会对利润造成7200万元至6200万元的影响，这意味着利润或较去年同期减少139.45万至增加860.55万元不等。 针对业绩变动的原因，
-
5
如何构成未来智能工厂
2024-01-20 要实现工业4.0及自我调整装配线的愿景，有赖于电源的效能。本文将就配电、电源品质和监控等方面讲解如何构成未来智能工厂的基础。 在传统的装配生产线中，当发现产品缺陷时，检查员会按下红色的紧急按钮，工程师和管理人员冲进去找到生产线中的问题，然后排除故障，这使得整个生产暂停一段不确定的时间。每一次延误都有可能导致成本增加和延误生产时间。 工业4.0的一个关键目标是
-
6
乘联会：1月狭义乘用车零售预计220万辆，新能源渗透率约36.4%
2024-01-20 1 月 19 日，乘联会公布其最新预测报告，预估今年 1 月份，国内狭义乘用车零售量将达 220 万辆，其中新能源车型预期卖出 80 万辆，坎坷向前的新能源汽车渗透率预计将达 36.4%。 值得关注的是，继 2023 年 12 月车市表现稍优于预期后，今年 1 月中旬，大多数品牌依然坚守原有的年末促销策略，市场优惠不减反增，进一步促进消费者的购车欲望，为春节
-
1
SK海力士H5WRAGESM8W-N6L DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-17 标题：SK海力士H5WRAGESM8W-N6L DDR储存芯片的技术和方案应用介绍 SK海力士，全球知名的半导体解决方案提供商，近期推出了一款新型的高速DDR储存芯片——H5WRAGESM8W-N6L。这款芯片凭借其出色的性能和稳定性，在市场上获得了广泛关注。 首先，我们来了解一下H5WRAGESM8W-N6L DDR储存芯片的技术特点。这款芯片采用了最新的 -
2
SK海力士H5TQ4G83EFR-RDI DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-16 标题：SK海力士H5TQ4G83EFR-RDI DDR储存芯片的技术和方案应用介绍 SK海力士公司以其H5TQ4G83EFR-RDI DDR储存芯片，成功地在高性能内存市场上占据了一席之地。这款芯片采用了最新的DDR技术，为各类电子产品提供了更高的数据传输速度和更低的功耗。 首先，H5TQ4G83EFR-RDI DDR储存芯片采用了最新的DDR3L技术。DD -
3
SK海力士H5TQ4G83CFR-TEC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-15 SK海力士H5TQ4G83CFR-TEC DDR储存芯片的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展，数据存储的需求量越来越大，对储存芯片的要求也越来越高。SK海力士公司推出的H5TQ4G83CFR-TEC DDR储存芯片，凭借其高性能、高可靠性、低功耗等特点，在各类电子产品中得到了广泛应用。本文将就SK海力士H5TQ4G83CFR-TEC DDR储存芯片的技术 -
4
SK海力士H5TQ4G83AFR-PBI DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-13 SK海力士H5TQ4G83AFR-PBI DDR储存芯片的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展，SK海力士H5TQ4G83AFR-PBI DDR储存芯片在数据存储领域中发挥着越来越重要的作用。这款芯片是一款高速、高容量的DDR3内存芯片，以其卓越的性能和可靠性，广泛应用于各种电子产品中。 首先，我们来了解一下SK海力士H5TQ4G83AFR-PBI DDR -
5
SK海力士H5TQ4G64AFR-PBC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-12 随着科技的飞速发展，DDR储存芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。SK海力士的H5TQ4G64AFR-PBC DDR芯片，作为一款高性能的DDR3内存芯片，以其卓越的性能和稳定的可靠性，广泛应用于各类电子产品中。 一、技术特点 SK海力士的H5TQ4G64AFR-PBC DDR芯片，采用业界先进的3D V-NAND技术，具有高容量、高速读写、低功耗 -
6
SK海力士H5TQ4G63MFR-PBC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-11 SK海力士H5TQ4G63MFR-PBC DDR储存芯片的技术与方案应用介绍 SK海力士，作为全球知名的半导体公司，一直致力于研发和生产高品质的DDR储存芯片。其中，H5TQ4G63MFR-PBC是一款备受瞩目的产品，具有出色的性能和广泛的应用领域。本文将重点介绍H5TQ4G63MFR-PBC DDR储存芯片的技术特点和方案应用。 一、技术特点 H5TQ4G
-
1
SK海力士H5TQ4G83EFR-TEC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-16 标题：SK海力士H5TQ4G83EFR-TEC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍 SK海力士，作为全球知名的半导体公司，一直致力于研发和生产高性能、高可靠性的DDR储存芯片。H5TQ4G83EFR-TEC型号的DDR储存芯片便是SK海力士最新的杰出成果之一。本文将深入探讨H5TQ4G83EFR-TED DDR储存芯片的技术特点和方案应用。 首先，我们来了解 -
2
SK海力士H5TQ4G83EFR-RDC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-15 标题：SK海力士H5TQ4G83EFR-RDC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍 SK海力士，作为全球领先的半导体制造商之一，近期推出了一款新型的DDR储存芯片——H5TQ4G83EFR-RDC。这款芯片以其出色的性能和稳定性，引起了业界的广泛关注。本文将深入探讨H5TQ4G83EFR-RDC DDR储存芯片的技术特点和方案应用。 一、技术特点 H5TQ4 -
3
SK海力士H5TQ4G83CFR-RDC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-13 标题：SK海力士H5TQ4G83CFR-RDC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍 SK海力士，作为全球领先的半导体公司之一，一直在不断研发和改进其产品。最近，他们推出了一款名为H5TQ4G83CFR-RDC的DDR储存芯片，这款芯片以其卓越的性能和稳定性，受到了广泛关注。本文将介绍这款芯片的技术和方案应用。 首先，我们来了解一下H5TQ4G83CFR-RD -
4
SK海力士H5TQ4G83AFR-PBC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-12 随着科技的飞速发展，DDR储存芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。SK海力士的H5TQ4G83AFR-PBC DDR芯片，作为一款高性能的DDR3内存芯片，以其卓越的性能和稳定性，广泛应用于各类电子产品中。本文将详细介绍SK海力士H5TQ4G83AFR-PBC DDR储存芯片的技术特点和方案应用。 一、技术特点 1. 高速度：H5TQ4G83AFR -
5
SK海力士H5TQ4G63MFR-RDC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-11 随着科技的飞速发展，DDR储存芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。SK海力士的H5TQ4G63MFR-RDC DDR芯片，作为一款高性能的DDR3内存芯片，以其卓越的性能和稳定的可靠性，广泛应用于各类电子产品中。本文将详细介绍这款芯片的技术特点、方案应用及其优势。 一、技术特点 H5TQ4G63MFR-RDC DDR芯片采用了先进的DDR3内存技术 -
6
SK海力士H5TQ4G63MFR-H9C DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-10 随着科技的飞速发展，储存芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。SK海力士的H5TQ4G63MFR-H9C DDR储存芯片是一款高性能、高可靠性的产品，广泛应用于各种电子产品中。本文将介绍该芯片的技术特点、方案应用及其优势。 一、技术特点 1. 高速度：H5TQ4G63MFR-H9C芯片支持DDR4内存接口，数据传输速率高达3200MT/s，大大提高了
亿配芯城（深圳）电子科技有限公司(由之前深圳市新嘉盛工贸有限公司2022年变更名称） 成立于2013年，从实体店铺到线上经营，在行业已经拥有12年的集成芯片供应服务经验，平台成立于2016年并上线服务，商城平台主要特点;线上快捷交易配单+线下实体供应交货;两全其美的垂直发展理念。截止2021年公司服务的客户已经超过了40000家，与大疆、美的、鱼跃、海格通讯、中国科学院以及上海电气等都有合作，是国内电子元器件专业的电子商务平台+实体店企业。未来发展及模式主要以（一站式BOM采购配单，平台寄售/处理闲置库存达到资源共享双赢，电子工程师交流社区，硬件开发与支持等互动服务平台）在这个快速而发展迅猛的科技互联网时代为大家提供精准的大数据资源平台。
一站式BOM报价电子元器件采购平台
